Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料
SI4427BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
SI4430BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4435DDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4448DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4455-B1A-FM IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355
相关代理商/技术参数
SI4423DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4423DY-E3 功能描述:MOSFET -20V -8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4423DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4423DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -20V 14A SOIC
SI4423DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425BDY 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8
SI4425BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N
SI4425BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R